話 mosfet 似膽,因為特性似.

高輸入阻抗,栅極用電壓推動.(晶體管 base 吸電流為主)
工作速度快.

不過講真句, 速度真係追唔到單端直熱蛋機

我用緊部停產好久的英国合拼摸屎忽功放 Linx - Nebula , 60W 日立起朵 J49 K134 管, West Germany ROA 大水塘, 推 3/5A , 聲音同我套膽 + 天朗好接近。(50Hz 下和大棚嘢除外)

真係好透明, 好暖胃。

spyder:
小弟用緊Unico100合併機 胆前級,MOSFET後級

For my understanding, the OLD model Accuphase was used MOSFET as power FET (E203,E303...both my ex-INT). But latest model was only used MOSFET as drive FET only. Now, some brands were still used MOSFET as power FET like PASS LAB. I am also MOSFET lover (my exist Power Amp is PASS XA-60.5).

If any wrong, please any C-hing can correct me!

原來系禁~我當年都係用全新 e204 推 oxford, cec turntable & ortofon mc10, 相信未有 bad contact 問題, 低音實, 空氣感人聲都好正, 試過拎去好多老友都輸果浸低頻, 係輸俾兩部唔同 model 嘅 harman kardon, 不過其他野就贏哂, 大約一年後就放咗!

不過呢部都係好野黎㗎!

原來系禁~原來 cominox 兄都系用 Accuphase E-204。我第一部 MOSFET擴音機就系 E-204，當年買二手一千八，開始時就系推 Tannoy 書架 Oxoford，人聲真系一流，但成日感覺距應該系低音推吾店（果時真系傻，玩平價書架想有坐地喇叭效果）。 然後好多年後，愛群大減價，買左 KEF 104.2。你講得岩，一開聲，d低音出曬來，重好很有力。然後拉出離牆越遠，低音頻進一步加強， toe-in理就多理想。後來因為生活地方太潮濕， bad contact好嚴重，聲音開始有少少變薄，拿返 Dah Choeng 修理後又正常返，現在終於明白點解，謝謝。

mild7兄:
No,小弟唔同意你話Accuphase e204比較清薄, 力度中規中舉.E204雖然是低級型號,但很有力,低頻扎實有勁,分析力强,聽人聲帶暖,我用E204推4311B,完全發揮12寸紙盤之潛能.
之所以有聲底比較清薄,係因為早期金仔很喜歡用小型噤掣放在前級,日子久了,bad contact起電阻,d聲緊係薄咗,亦是所有舊amp通病.你只需修理它便回履青春美麗.

多謝各位兄弟，有咁既問題係因為見有D 擴音機標榜用MOSFET，話有齊膽機同石機（transitor)嘅優點：高分析力兼厚潤。所以想知道有邊D model 係用 MOSFET 囉。

spyder：

我都唔系技術友，不過從少就聽好多玩機既人話 MOSFET 設計既擴音機，寧靜度高，無一般晶體管擴音機禁冷冰冰，聲有d溫暖，有少少膽味，。我感覺都好似系，所以一直都系用 MOSFET 設計既後級。我部機聲底，我唔覺得到清薄，返而感覺濃，厚添。你知啦，機既野，同一設計都好，都有其它因素影響，價錢從平到貴，亦都反映其它唔同用料，差別都好大。所以都系個句，用你耳仔去聽作判斷就最準。just my 2cents.

我都用過三部所為 Mosfet Amp, 分別係 Hitachi HA7700, Accuphase e204, Creek 5350se, 我唔係好清楚點分, 亦唔係 expert, 覺得呢類 mosfet 設計聲底比較清薄, 力度中規中舉, 唔粗聲!

今時今日，十幾二十萬的Power Amp都是用Transitor，都好難找到用Mosfet，在前級上就好多都仲用Fet。

thank you 璐比桑 hing.
咁今時今日是否大部份擴音機也是 MOSFET 嘅呢
?

系米應該禁講：MOSFET 系 Transistor （電晶體）family 一個成員？Check out here:

金屬-氧化層-半導體-場效應電晶體，簡稱金氧半場效應電晶體（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效應電晶體（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
從目前的角度來看MOSFET的命名，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET裏代表“metal”的第一個字母M，在當下大部分同類的元件裏是不存在的。早期MOSFET的柵極（gate electrode）使用金屬作為其材料，但隨著半導體技術的進步，現代的MOSFET柵極早已用多晶矽取代了金屬。
MOSFET在概念上屬於“絕緣柵極場效應電晶體”（Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET）。而IGFET的柵極絕緣層，有可能是其他物質，而非MOSFET使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶矽柵極的場效應電晶體元件時比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是MOSFET。
MOSFET裏的氧化層位於其通道上方，依照其操作電壓的不同，這層氧化物的厚度僅有數十至數百埃（Å）不等，通常材料是二氧化矽（silicon dioxide, SiO2），不過有些新的高級制程已經可以使用如氮氧化矽（silicon oxynitride, SiON）做為氧化層之用。
今日半導體元件的材料通常以矽（silicon）為首選，但是也有些半導體公司發展出使用其他半導體材料的制程，當中最著名的例如IBM使用矽與鍺（germanium）的混合物所發展的矽鍺制程（silicon-germanium process, SiGe process）。而可惜的是很多擁有良好電性的半導體材料，如砷化鎵（gallium arsenide, GaAs），因為無法在表面長出品質夠好的氧化層，所以無法用來製造MOSFET元件。
當一個夠大的電位差施於MOSFET的柵極與源極（source）之間時，電場會在氧化層下方的半導體表面形成感應電荷，而這時所謂的“反轉通道”（inversion channel）就會形成。通道的極性與其漏極（drain）與源極相同，假設漏極和源極是n-type，那麼通道也會是n-type。通道形成後，MOSFET即可讓電流通過，而依據施於柵極的電壓值不同，可由MOSFET的通道流過的電流大小亦會受其控制而改變。

http://zh.wikipedia.org/wiki/MOSFET

Transitor 同 MOSFET 擴音機有什麼分別？
今時今日是否大部份擴音機也是 MOSFET?